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 IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試難點(diǎn)
 IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測(cè)試帶來(lái)了一定的困難:

1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測(cè)試;

2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

3、IGBT的電流輸出能力很強(qiáng),測(cè)試時(shí)需要快速注入1000A級(jí)電流,并完成壓降的采樣;

4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬(wàn)伏不等,需要測(cè)量?jī)x器具備高壓輸出和高壓下nA級(jí)漏電流測(cè)試的能力;

5、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯，嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供us級(jí)電流脈沖信號(hào)減少器件自加熱效應(yīng);

6、輸入輸出電容對(duì)器件的開關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測(cè)試十分有必要。

普賽斯功率器件靜態(tài)測(cè)試解決方案

普賽斯功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

普賽斯功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

 高電壓、大電流

   具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至12kV)

   具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

 高精度測(cè)量

   nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

   0.1%精度測(cè)量

 模塊化配置

   可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

 測(cè)試效率高

   內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

   支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

 擴(kuò)展性好

  支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能，還擁有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求，確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的##表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。同時(shí)，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。從pA級(jí)、mV級(jí)高精度源表到kA級(jí)、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線，###了國(guó)內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流。


功率半導(dǎo)體器件IGBT測(cè)試機(jī)單管|模塊檢測(cè)儀聯(lián)系我們：

武漢普賽斯儀表有限公司 陶女士

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